برای دریافت دیتاشیت Buk9277 در این مطلب همراه ما باشید. همانطور که می دانید دیتاشیت خوانی یکی از مهارت های مهم مهندسان در حوزه الکترونیک است؛ زیرا برای بررسی قطعات، کاربردها، حساسیت ها و ویژگی های قطعات باید دیتاشیت مربوط به قطعه مطالعه شود. در ادامه این مطلب همراه ما باشید تا دیتا شیت مربوط به قطعه Buk9277 را به شما معرفی کنیم.
برای خرید این قطعه نیز می توانید به صفحه فروشگاه قطعه Buk9277 مراجعه نمایید.
دیتاشیت Buk9277
در سه بند اول مربوط به دیتاشیت، معرفی عمومی این قطعه به همراه، کاربردها و ویژگی های آن آمده است که شامل اطلاعات زیر می شود :
ترانزیستور اثر میدانی (FET) با بسته بندی پلاستیکی بوده و برای کاربردهای حیاتی خودرو استفاده می شود.
- سازگار با Q101
- مناسب برای منابع درایو گیت سطح منطقی
- به دلیل درجه حرارت 175 درجه سانتیگراد، برای محیط های با نیازهای حرارتی مناسب است.
با مطالعه جداول نیز می توانید شرایط حرارتی و مقاومتی و سایر موارد در این دیتا شیت را متوجه شوید.
برای دانلود pdf دیتاشیت Buk9277کلیک کنید.
آشنایی با ترانزیستورهای FET
همانطور که در قسمت فوق اشاره کرده بودیم، براساس اطلاعات به دست آمده از دیتاشیت Buk9277، متوجه شدیم این قطعه نوعی ترانزیستور FET است حال در این قسمت همراه ما باشید تا با کارکرد و ویژگی های این ترانزیستورها بیشتر آشنا شویم.
برای درک بهتر اطلاعات دیتا شیت توصیه می کنیم در ادامه این مطلب همراه ما باشید.
مقدمه ای کوتاه بر ترانزیستورهای FET
ترانزیستورهای فت یکی از پرکاربردترین ها در صنعت الکترونیک هستند.
از جمله برخی کاربردهای این ترانزیستور می توان به موارد زیراشاره کرد:
- استفاده در برق قدرت
- طراحی و پیاده سازی منابع تغذیه سوئیچینگ
- یا طراحی و ساخت انواع درایورها
- و…
از ترانزیستورهای FET حتی در تولید تراشه ها و مدارات دیجیتال نیز استفاده می شود که از اصلی ترین کاربردهای آن ها می باشد.
و اما ساختار ترانزیستورهای FET ( ترانزیستورهای اثر میدان )
همان طور که میدانید ترانزیستورهای معمولی یا همان BJT سه پایه با نام های E، C و B دارند. اما فت ها دارای سه پایه G (گیت) – D (درین) – S (سورس) میباشد. پایه تحریک ترانزیستور FET پایه G یا همان پایه گیت است.
در ساختار تشکیل دهنده این ترانزیستور یک ناحیه N و دو ناحیه P وجود دارد که ناحیه P همان دروازه یا پایه گیت را تشکیل می دهد. برای درک بهتر تصویر زیر را مشاهده کنید:
رفتار ترانزیستور اثر میدان JFET در مدار
برای اینکه جریان از این کانال عبور کند، نباید پایه های درین و سورس دارای اتصال کوتاه باشند ولر اگر سیگنال به گیت داده شود، جریان از درین به سورس راه خواهد یافت.
خرابی و روش تست ترانزیستور FET
برای اطلاع از مشکل مدار، باید حتماً از نحوه عیب یابی ترانزیستورها آگاه باشید. برای عیب یابی ترانزیستورها کافی است،
در ابتدا بر روی مدار و قبل از جدا کردن ترانزیستور با یک مولتی متر از پایه های ترانزیستور تست اتصال کوتاه بگیرید،به این صورت که اگر تمام پایه های ترانزیستور به یکدیگر اتصال کوتاه بدهند ممکن است ترانزیستور فت شما خراب باشد.
اصطلاحات و تعاریف مهم و متداول در ترانزیستورBuk9277
ولتاژ بحرانی Vr ( Pinch off Voltage ) یعنی مقدار VDS که به بسته شدن حداکثری کانال منجر می شود در صورتی که VGS = 0 باشد.
جریان درین سورس اشباع IDSS ( IDS Saturation ) یعنی اگر VGS = 0 هنگامی که VDS مقدار Vr و بیشتر از آن برسد، ID ثابت می ماند.
ولتاژ شکست درین سورس VB ( Break down voltage ) یعنی ولتاژی که با افزایش VDS منجر به آسیب در قطعه می شود. زیرا جریان درین را به سرعت افزایش خواهد داد.
ولتاژ شکست در JFET های معمولی حدود ۲۰ تا ۳۰ ولت است.
ولتاژ قطع گیت سورس ( VGS off )، مقدار VGS است که مقدار ID را به صفر می رساند.
نکته : معمولا مقدار عددی ولتاژ قطع گیت سورس با مقدار عددی ولتاژ Vr هم اندازه است.
بازدیدها: 7
نظر بدهید