ترانزیستورHUF76633s ماسفت اثر میدانی با ویژگیهای 38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level

ترانزیستورHUF76633s

مقایسه

ریال2,000,000

شناسه محصول ترانزیستورHUF76633s
موجود
فهرست علاقه مندی ها افزودن برای مقایسه

توضیحات

ترانزیستورHUF76633s

ترانزیستور HUF76633S در خودروی جنسیس و سانتافه در قسمت ترمز دستی الکترونیکی مصرف شد است.


این ترانزیستور درواقع یک ماسفت است.ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیم‌رسانا اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor) یا ماسفِت (اختصاری MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.


در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه‌پایه به نام‌های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند.


در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد، و چنان‌که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیم‌رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود.


از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.


عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به ماسفت‌ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.


ترانزیستور HUF76633S با پکیج DPAK و 3پایه توسط شرکت Fairchild Semiconductor تولید و عرضه میشود.

بازدیدها: 12

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

نوشتن دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *